В специальном выпуске журнала

В специальном выпуске журнала «IEEE Transactions of Industrial Electronics» (1982, № 2), посвященном высокотемпературной электронике, восемь статей о привычных полупроводниковых приборах, но две — о ВИС. Кажется, лед тронулся… Следует отметить еще один существенный пункт. ВИС выдерживают радиацию, на много порядков большую, чем полупроводниковые приборы, а что касается размеров, то ВИС может содержать до трех тысяч ламп на квадратном сантиметре. Уже созданы образцы, нарабатывающие тысячи часов при 500 °С. Так что самые ценные свойства и ламп, и транзисторов «кентаврами» вроде бы не потеряны.

Параметры электронных приборов, как и все в этом мире, ограничены. Ограничены как возможностями технологии изготовления, так и уровнем понимания их работы. Технология часто ограничивает возможные сочетания параметров. Легкий, но маломощный или легкий и мощный, но безумно дорогой… В транзисторе есть так называемая база — область с малым полем, а значит, с малой скоростью и большим временем дрейфа носителей (электронов или «дырок»). Следствием этого оказывается низкая граничная частота прибора, при более высоких он «не успевает». Конечно, эту самую базу можно сделать потоньше, но тогда уменьшатся рабочее напряжение и мощность: облегчится пробой. Хорошо бы вообще избавиться от области база-эмиттер и ввод

Добавить комментарий